-
1 gate voltage
Engineering: GV -
2 Gate Voltage in a transistor
Electronics: VGGУниверсальный русско-английский словарь > Gate Voltage in a transistor
-
3 Voltage
1) Abbreviation: Vcc (Common Cathode), Vgg (Gate to Ground)2) Information technology: Vcc (Common Cathode?), Vgg (Gate to Ground?) -
4 voltage
1) Abbreviation: Vcc (Common Cathode), Vgg (Gate to Ground)2) Information technology: Vcc (Common Cathode?), Vgg (Gate to Ground?) -
5 gate breakdown voltage
Универсальный русско-английский словарь > gate breakdown voltage
-
6 gate-source voltage
Engineering: GSVУниверсальный русско-английский словарь > gate-source voltage
-
7 gate-to-channel voltage
Engineering: GCVУниверсальный русско-английский словарь > gate-to-channel voltage
-
8 voltage gate
клапан напряжения; клапан, управляемый напряжениемАнгло-русский словарь промышленной и научной лексики > voltage gate
-
9 напряжение управления тиристора
напряжение управления тиристора
Напряжение между управляющим выводом и заданным основным выводом тиристора.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
28. Напряжение управления тиристора
E. Gate voltage
F. Tension de gâchette
-
Напряжение между управляющим выводом и заданным основным выводом тиристора
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение управления тиристора
-
10 напряжение затвора (полевого транзистора)
напряжение затвора (полевого транзистора)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение затвора (полевого транзистора)
-
11 напряжение управления (тиристора)
напряжение управления (тиристора)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение управления (тиристора)
-
12 обратное импульсное напряжение управления тиристора
обратное импульсное напряжение управления тиристора
Импульсное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в обратном непроводящем состоянии.
Обозначение
Uу,и,обр
URGM
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
34. Обратное импульсное напряжение управления тиристора
E. Reak reverse gate voltage
F. Tension inverse de pointe de gâchette
Uу,и,обр
Импульсное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в обратном непроводящем состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > обратное импульсное напряжение управления тиристора
-
13 импульсное напряжение управления тиристора
импульсное напряжение управления тиристора
Наибольшее мгновенное значение напряжения управления тиристора.
Обозначение
Uу,и
UGM
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
30. Импульсное напряжение управления тиристора
E. Peak gate voltage
F. Tension de pointe de gâchette
Uу,и
Наибольшее мгновенное значение напряжения управления тиристора
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсное напряжение управления тиристора
-
14 прямое импульсное напряжение управления тиристора
прямое импульсное напряжение управления тиристора
Импульсное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в открытом состоянии.
Обозначение
Uу,пр,и
URGM
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
32. Прямое импульсное напряжение управления тиристора
E. Peak forward gate voltage
F. Tension directe de pointe de gâchette
Uу,пр,и
Импульсное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > прямое импульсное напряжение управления тиристора
-
15 напряжение управления
1) Mechanics: control voltage3) Electrical engineering: gate voltage (тиристора)Универсальный русско-английский словарь > напряжение управления
-
16 максимально допустимое напряжение между затворами
максимально допустимое напряжение между затворами
-
Обозначение
U(З1-З2)max
U(G1-G2)max
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое напряжение между затворами
-
17 импульсное напряжение управления
Automation: peak gate voltage (напр. тиристора)Универсальный русско-английский словарь > импульсное напряжение управления
-
18 напряжение включения по управляющему электроду
Electronics: forward gate voltageУниверсальный русско-английский словарь > напряжение включения по управляющему электроду
-
19 напряжение затвора
Engineering: gate voltage (полевого транзистора)Универсальный русско-английский словарь > напряжение затвора
-
20 напряжение управляющего электрода
Engineering: gate voltage (тиристора)Универсальный русско-английский словарь > напряжение управляющего электрода
См. также в других словарях:
Gate turn-off thyristor — For other uses of the word, see GTO (disambiguation). GTO thyristor symbol A gate turn off thyristor (GTO) is a special type of thyristor, a high power semiconductor device. GTOs, as opposed to normal thyristors, are fully controllable switches… … Wikipedia
Gate oxide — The gate oxide is the third region of the MOSFET between the source and drain. It is a thin layer of pure, defect free, 5 200 nm thick thermally grown oxide. It serves as the dielectric layer so that the gate can sustain as high as 1 to 5 MV/cm… … Wikipedia
Voltage multiplier — Villard cascade voltage multiplier. A voltage multiplier is an electrical circuit that converts AC electrical power from a lower voltage to a higher DC voltage, typically by means of a network of capacitors and diodes. Voltage multipliers can be… … Wikipedia
Voltage doubler — A voltage doubler is an electronic circuit which charges capacitors from the input voltage and switches these charges in such a way that, in the ideal case, exactly twice the voltage is produced at the output as at its input. The simplest of… … Wikipedia
gate — I. noun Etymology: Middle English, from Old English geat; akin to Old Norse gat opening Date: before 12th century 1. an opening in a wall or fence 2. a city or castle entrance often with defensive structures (as towers) 3. a. the frame or door… … New Collegiate Dictionary
gate — 1. To close an ion channel by electrical ( e.g., membrane potential) or chemical ( e.g., neurotransmitter) action. 2. Action of a special nerve fiber to block the … Medical dictionary
gate trigger voltage — įjungiančioji valdymo elektrodo įtampa statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. gate trigger voltage vok. Zündspannung, f rus. отпирающее напряжение на управляющем электроде, n pranc. tension d amorçage par la gâchette, f … Automatikos terminų žodynas
gate non-trigger voltage — neįjungiančioji valdymo elektrodo įtampa statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. gate non trigger voltage vok. höchste nichtzündende Steuerspannung, f rus. неотпирающее напряжение на управляющем электроде, n pranc. tension de non amorçage … Automatikos terminų žodynas
gate non-trigger voltage — neįjungiančioji valdymo įtampa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gate non trigger voltage vok. höchste nichtzündende Steuerspannung, f rus. неотпирающее напряжение на управляющем электроде, n pranc. tension de non amorçage par … Radioelektronikos terminų žodynas
Voltage Controlled Amplifier — Ein Voltage Controlled Amplifier (engl. für Spannungsgesteuerter Verstärker), kurz VCA, ist ein elektronischer Verstärker, dessen Verstärkungsfaktor durch eine Steuerspannung gesteuert werden kann. Dieselbe Funktion kann auch ein Algorithmus in… … Deutsch Wikipedia
Threshold voltage — The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The creation of this layer is described next … Wikipedia